TK10Q60W,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK10Q60W,S1VQ |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.06 |
10+ | $2.753 |
100+ | $2.2126 |
500+ | $1.8179 |
1000+ | $1.5063 |
2000+ | $1.4024 |
5000+ | $1.3504 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-Pak |
Serie | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 80W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9.7A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK10Q60 |
TK10Q60W,S1VQ Einzelheiten PDF [English] | TK10Q60W,S1VQ PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() TK10Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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